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NTD4965N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2400
2200
2000
1800
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
Q T
1400
1200
6
5
1000
800
600
400
200
0
0
5
C rss
10
C oss
15
20
25
30
4
3
2
1
0
0
2
Q gs
4
6
8
Q gd
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 A
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t r
25
20
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
t d(off)
15
10
t f
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
48
44
I D = 31 A
100
10
1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
40
36
32
28
24
20
16
0.1
0.01
0.01
T C = 25 ° C
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
dc
100
12
8
4
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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